作者通过在纳米锥基底上沉积纳米孔结构的Mo掺杂的BiVO4(Mo：总多BiVO4)来解决这一问题，总多由于Mo：BiVO4层具有更大的有效厚度，其电荷分离效率更高，光吸收能力更强。

牢骚该工作为高性能RTNa-S电池的材料设计提供了指导。为了克服这些问题，总多室温Na-S电池是更好的选择。

然而，牢骚考虑到锂资源的稀缺性，（Na-S）电池在成本效益方面的优势更明显，尤其是对于大规模电网储能应用。这种结构的Na2S/碳复合材料可以显着提高Na-S电池的反应活性，总多缓解体积膨胀效应和穿梭效应。研究中，牢骚所有电流密度和放电容量基于硫的含量计算。

作为概念验证，总多通过将Sn@C阳极与中空纳米Na2S复合阴极配对，实现了不含Na金属的RTNa-S电池。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，牢骚投稿邮箱[email protected]。

鉴于其极高的理论比容量，总多锂-硫（Li-S）电池已被广泛研究。

结果表明，牢骚在1.4和2.1 Ag-1的电流密度下，可以分别实现980和790 mAhg-1的高初始放电容量，100个循环后可逆容量稳定在600和400 mAhg-1。等电子锡掺杂剂通过产生局部势阱，总多引发激子的局域化，并进一步引起杂质周围的晶格变形以适应自陷激子。

具有钙钛矿结构的有机-金属卤化物杂化晶体是一类新型材料，牢骚主要用于太阳能电池。但是痕量的锡掺杂未能显著调整3D钙钛矿中的发光特性，总多因为Sn掺杂仅略微缩小带隙，并且在这些3D钙钛矿中带边发射占主导地位。

二维（2D）钙钛矿具有有机层和无机层交替和周期性排列的天然量子阱结构，牢骚这种量子阱结构被认为有前景的LED发光器，牢骚但是室温下2D钙钛矿的低光致发光量子产率（PLQY，通常1％）是实现高性能LED的瓶颈。总多2001-2005年美国阿贡国家实验室从事博士后研究。